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砷化鎵晶片 GaAs Wafer

我們研發并生產的2-6英半導體級以及半絕緣級高純度砷化鎵晶體和晶片被廣泛應用于半導體集成電路以及LED通用照明等領域。

Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.

半導體砷化鎵規格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

生長方法 Growth Method	VGF
摻雜類型 Dopant	P型：鋅 p-type: Zn		N型：硅 n-type: Si
晶片形狀 Wafer Shape	圓形（尺寸2、3、4、6英寸） Round (DIA: 2", 3", 4", 6")
晶向 Surface Orientation *	(100)±0.5°
* Other Orientations maybe available upon request 其他晶向要求可根據客戶需求加工
Dopant 摻雜	硅（N 型） Si (n-type)		鋅（P 型） Zn (p-type)
載流子濃度 Carrier Concentration (cm-3)	( 0.8-4) × 1018		( 0.5-5) × 1019
遷移率 Mobility (cm2/V.S.)	( 1-2.5) × 103		50-120
位錯 Etch Pitch Density (cm2)	100-5000		3,000-5,000
直徑 Wafer Diameter (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3		100±0.3
厚度 Thickness (μm)	350±25	625±25		625±25
TTV [P/P] (μm)	≤ 4	≤ 4		≤ 4
TTV [P/E] (μm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
WARP (μm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
OF (mm)	17±1	22±1		32.5±1
OF / IF (mm)	7±1	12±1		18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P		E/E, P/E, P/P
E=Etched, P=Polished（E=腐蝕, P=拋光）
**If needed by customer 根據客戶需要

半絕緣砷化鎵 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

生長方法 Growth Method	VGF
摻雜類型 Dopant	SI 型：碳 SI Type: Carbon
晶片形狀 Wafer Shape	圓形（尺寸2、3、4、6英寸） Round (DIA: 2", 3", 4", 6")
晶向 Surface Orientation *	(100)±0.5°
* Other Orientations maybe available upon request 其他晶向要求可根據客戶需求加工
電阻率 Resistivity (Ω.cm)	≥ 1 × 10⁷		≥ 1 × 10⁸
遷移率 Mobility (cm²/V.S)	≥ 5,000		≥ 4,000
位錯 Etch Pitch Density (cm²)	1,500-5,000		1,500-5,000
晶片直徑 Wafer Diameter (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3	150±0.3
厚度 Thickness (μm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (μm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (μm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
WARP (μm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 15
OF (mm)	17±1	22±1	32.5±1	NOTCH
OF / IF (mm)	7±1	12±1	18±1	N/A
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P
E=Etched, P=Polished （E=腐蝕, P=拋光）
**If needed by customer 根據客戶需要

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